單項選擇題下列是晶體的是()。
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
2.單項選擇題對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
A.非平衡載流子濃度成正比;
B.平衡載流子濃度成正比;
C.非平衡載流子濃度成反比;
D.平衡載流子濃度成反比。
3.單項選擇題在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
A.纖鋅礦型;
B.閃鋅礦型;
C.六方對稱性;
D.立方對稱性
4.單項選擇題如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質(zhì)
5.單項選擇題雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
A.變大,變小
B.變小,變大
C.變小,變小
D.變大,變大
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題