單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)在調(diào)查階段下列哪項(xiàng)工作是錯(cuò)誤的（）。

A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件


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1.單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)不包括（）。

A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法

2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。

A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm

4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。

A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2

5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。

A.燒結(jié)普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災(zāi)后的砌體

最新試題

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項(xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題