單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法彈擊點(diǎn)處應(yīng)磨掉表面砂漿,深度應(yīng)為()。
A.3-8mm
B.5-10mm
C.8-15mm
D.10-15mm
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1.單項(xiàng)選擇題位雙剪法檢測時,下列哪個部位可以布設(shè)測點(diǎn)()。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C.完整墻體中部
D.獨(dú)立磚柱
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時應(yīng)用濃度為()的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
3.單項(xiàng)選擇題砂漿片試件的剪切測試,應(yīng)對試件勻速連續(xù)施加荷載,加荷速度不宜大于(),直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
4.單項(xiàng)選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強(qiáng)儀上下刀片中心間距為()。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
5.單項(xiàng)選擇題筒壓法試樣加載時應(yīng)均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值,水泥砂漿,石粉砂漿的筒壓荷載值應(yīng)為()。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題