A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
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A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
A.試件搬運(yùn)過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng),然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長(zhǎng)距離運(yùn)輸試件時(shí),宜用草繩等材料緊密捆綁試件
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()