A.材料生產(chǎn)企業(yè)
B.設(shè)計(jì)/制造企業(yè)
C.代工企業(yè)
D.芯片加工及組裝企業(yè)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.最早是由Gordon Moore提出來(lái)
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個(gè)定律的科學(xué)家來(lái)自英特爾公司
D.近年來(lái)一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽(yáng)能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
A.間歇性工作
B.地域依賴(lài)性強(qiáng)
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對(duì)溫度
最新試題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。