A.最早是由Gordon Moore提出來(lái)
B.大約每一年半,集成電路集成度提高一倍,性能也提高一倍
C.提出這個(gè)定律的科學(xué)家來(lái)自英特爾公司
D.近年來(lái)一直是是半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展定律
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A.直流光伏水泵
B.充電器
C.太陽(yáng)能風(fēng)扇帽
D.草坪燈、庭院燈
A.間歇性工作
B.地域依賴性強(qiáng)
C.光伏發(fā)電本身不用燃料
D.占地面積大
A.能量密度低
B.就近解決發(fā)電、供電和用電
C.受自然條件和氣候環(huán)境因素影響大
D.轉(zhuǎn)換效率較低
A.單位電荷量
B.摻雜濃度
C.本征載流子濃度
D.絕對(duì)溫度
A.p區(qū)多子濃度大于n區(qū)多子濃度
B.p區(qū)空穴濃度大于n區(qū)電子濃度
C.p區(qū)電子濃度小于n區(qū)電子濃度
D.p區(qū)本征載流子濃度大于n區(qū)本征載流子濃度
最新試題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
氧化鋁(Al2O3)的介電常數(shù)一般低于氮化硅(Si3N4)的介電常數(shù)。
晶體管正常使用過(guò)程中,處于正偏的PN結(jié)是()結(jié),處于反偏的PN結(jié)是()結(jié)。
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū),飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
1947年,()等人制造了第一個(gè)晶體管。
晶體管的全部應(yīng)用模式中,共有()種放大倍數(shù)。
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。