問(wèn)答題伸縮振動(dòng)與彎曲振動(dòng)的頻率哪個(gè)高？
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1.問(wèn)答題影響譜帶（位移）的因素有哪些？說(shuō)明其影響規(guī)律和原因？
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3.單項(xiàng)選擇題直拉單晶中氧含量頭部和尾部相比（）。
A.較高
B.相同
C.較低
D.無(wú)法判斷
4.單項(xiàng)選擇題X射線(xiàn)定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi)，準(zhǔn)確度高。（）
A.±10＇
B.±15＇
C.±20＇
D.±30＇
5.單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)？（）
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
最新試題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢(shì)大于費(fèi)米勢(shì)時(shí)的柵極電壓。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。
題型：判斷題
（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長(zhǎng)的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
題型：填空題
N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題