單項(xiàng)選擇題X射線定向法的誤差可以控制在范圍內(nèi),準(zhǔn)確度高。()
A.±10'
B.±15'
C.±20'
D.±30'
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1.單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不是天然水的三大雜質(zhì)?()
A.懸浮物質(zhì)
B.揮發(fā)物質(zhì)
C.膠體物質(zhì)
D.溶解物質(zhì)
2.單項(xiàng)選擇題失效表明離子交換樹脂可供交換的()大為減少。
A.Cl¯
B.NA
C.H﹢和OH¯
D.CA
3.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔法檢驗(yàn)多晶硅中基磷含量時(shí),采用快速區(qū)熔法的工藝時(shí),第一次區(qū)熔時(shí),第一區(qū)熔區(qū)停留揮發(fā)時(shí)間()左右。
A.3min
B.5min
C.7min
D.10min
4.單項(xiàng)選擇題光圖定向法結(jié)果直觀,操作(),誤差()。
A.簡單較大
B.復(fù)雜較大
C.簡單較小
D.復(fù)雜較小
5.單項(xiàng)選擇題()是影響硅器件成品率的一個(gè)重要因素,也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。
A.點(diǎn)缺陷
B.線缺陷
C.面缺陷
D.微缺陷
最新試題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題
實(shí)際的MOS管,絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型:判斷題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
p型襯底材料的MOS管,其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大,閾值電壓隨之增大。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有()個(gè)極,()個(gè)區(qū),()個(gè)PN結(jié)。
題型:填空題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題