問(wèn)答題金相顯微鏡的構(gòu)成？
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最新試題
實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒(méi)有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線(xiàn)可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。
題型：填空題
MOS管的伏安特性曲線(xiàn)含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題