判斷題柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
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最新試題
1947年，（）等人制造了第一個晶體管。
題型：填空題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型：填空題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。
題型：判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
晶體管的全部應用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
題型：填空題