問答題為什么電化學(xué)腐蝕會產(chǎn)生電位差？它的原因是什么？
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柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
半導(dǎo)體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。
題型：填空題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
第一塊集成電路發(fā)明于（）年。
題型：填空題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題