国产精品99r8免费视频,午夜成人免费爽爽影院,欧美极度丰满熟妇hd

判斷題柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

1.判斷題n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

2.判斷題MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

3.判斷題柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

4.判斷題MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

5.判斷題MOS管閾值電壓的單位是eV。