国产一区AV麻豆免费观看,亚洲精品午夜无码专区,91香蕉视频污视频

問答題以N阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點？并請?zhí)岢龈倪M方法。

1.問答題以p阱CMOS工藝為基礎的BiCMOS的有哪些不足？

NPN晶體管電流增益小，集電極串聯(lián)電阻大，NPN管的C極只能接固定電位。

2.問答題簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟。

P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線。

3.問答題簡單敘述一下pn結隔離的NPN晶體管的光刻步驟。

4.問答題在制作晶體管的時候，襯底材料電阻率的選取對器件有何影響是？

電阻率過大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴大飽和壓降，若過小耐壓低，結電容增大，且外延時下推大。

5.問答題簡述四層三結的結構的雙極型晶體管中隱埋層的作用。

減小集電極串聯(lián)電阻，減小寄生PNP管的影響。