問(wèn)答題請(qǐng)以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應(yīng)，并解釋其對(duì)PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。
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1.問(wèn)答題MOS晶體管的短溝道效應(yīng)是指什么，其對(duì)晶體管有什么影響？
2.問(wèn)答題什么是器件的亞閾值特性，對(duì)器件有什么影響？
4.問(wèn)答題為什么TTL與非門(mén)不能直接并聯(lián)。
最新試題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類(lèi)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題