您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.802.1Q標(biāo)簽長度為4字節(jié)
B.802.1Q標(biāo)簽包含了標(biāo)簽協(xié)議標(biāo)識和標(biāo)簽控制信息
C.802.1Q標(biāo)簽的標(biāo)簽協(xié)議標(biāo)識部分包含了一個固定的值0x8200
D.802.1Q標(biāo)簽的標(biāo)簽控制信息部分包含的VLAN Identified(VLAN ID)是一個12Bit的域
A.Access
B.Trunk
C.Hybrid
A.Access
B.Trunk
C.Hybrid
D.Normal
A.沒有正確啟動端口的GVRP協(xié)議
B.交換機上配置有太多的VLAN
C.啟動了GVRP協(xié)議的端口被配置了除Normal以外的GVRP注冊模式
D.Leave定時器的值配置為大于缺省值
最新試題
模擬信號數(shù)字化的過程是()。
通過U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到()。
晶體管能夠放大的外部條件是()。
某電路,對100KHz以下低頻信號干擾敏感,為減少干擾,應(yīng)采用()濾波器。
捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式()進行觸發(fā)。
在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是()。
()不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)該用哪種濾波器?()
一空氣平行板電容器,兩級間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。()