A.采用多項(xiàng)并聯(lián)的模式
B.開關(guān)管內(nèi)置,提高電源的開關(guān)頻率
C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容
D.增大輸出濾波電感量
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A.采樣->量化->編碼
B.采樣->編碼->量化
C.編碼->采樣->量化
D.量化->編碼->采樣
A.五價(jià)
B.四價(jià)
C.三價(jià)
D.二價(jià)
A.保持時(shí)間
B.恢復(fù)時(shí)間
C.穩(wěn)定時(shí)間
D.建立時(shí)間
A.CRC校驗(yàn)
B.海明碼校驗(yàn)
C.多種校驗(yàn)方式的組合
D.奇偶校驗(yàn)
A.SRAM需要定時(shí)刷新,否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失
B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息
C.SRAM的集成度高于DRAM
D.只要不掉點(diǎn),DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失
最新試題
1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001,-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。()
DWDM設(shè)備OLP單板可以檢測(cè)的告警有()
對(duì)于D觸發(fā)器來說,為了保證可靠的采樣,數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為()。
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。()
在Buck電路中,不能起到減小紋波作用的措施是()。
8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是()。
晶體管能夠放大的外部條件是()。
模擬信號(hào)數(shù)字化的過程是()。
十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為:0x00。()
一空氣平行板電容器,兩級(jí)間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>