填空題同一MST區(qū)域內(nèi)的MSTP交換機(jī)上配置()和()都是一致的。
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2.多項選擇題多生成樹協(xié)議(MSTP)中,以下端口角色屬于非0的MST Instance的端口角色的是?()
A.根端口(Root Port)
B.指定端口(Designated Port)
C.預(yù)備端口(Alternate Port)
D.備份端口(Backup Port)
E.Master Port
3.多項選擇題多生成樹協(xié)議(MSTP)中,以下端口角色屬于CIST端口角色的是?()
A.根端口(Root Port)
B.指定端口(Designated Port)
C.預(yù)備端口(Alternate Port)
D.備份端口(Backup Port)
E.Maste rPort
5.單項選擇題以下關(guān)于MSTP中MST Instance和VLAN的映射關(guān)系的說法正確的是?()
A.每個VLAN只能映射到一個MST Instance。
B.每個MST Instance只能包含一個VLAN。
C.每個MST Instance最多包含16個VLAN。
D.每個VLAN可以映射到最多16個MST Instance。
最新試題
M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警,關(guān)于處理此告警說法正確的是:()
題型:多項選擇題
1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001,-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。()
題型:判斷題
本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體。
題型:單項選擇題
關(guān)于SRAM和DRAM,下面說法正確的是()。
題型:單項選擇題
為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)該用哪種濾波器?()
題型:單項選擇題
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。()
題型:判斷題
晶體管能夠放大的外部條件是()。
題型:單項選擇題
某電路,對100KHz以下低頻信號干擾敏感,為減少干擾,應(yīng)采用()濾波器。
題型:單項選擇題
以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試?()
題型:單項選擇題
中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上?()
題型:單項選擇題