單項(xiàng)選擇題關(guān)于SRAM和DRAM，下面說法正確的是（）。
A.SRAM需要定時(shí)刷新，否則數(shù)據(jù)會丟失
B.DRAM使用內(nèi)部電容來保存信息
C.SRAM的集成度高于DRAM
D.只要不掉點(diǎn)，DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失
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1.單項(xiàng)選擇題為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器，應(yīng)該用哪種濾波器？（）
A.帶阻濾波器
B.帶通濾波器
C.低通濾波器
D.高通濾波器
2.單項(xiàng)選擇題8086CPU內(nèi)部包括哪些單元？（）
A.ALU，EU
B.ALU，BIU
C.EU，BIU
D.ALU，EU，BIU
3.單項(xiàng)選擇題一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/a>
A.U/3
B.2U/3
C.3U/4
D.不變
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中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
ITU-T中，當(dāng)光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng)，中心波長的偏差不能大于：（）
題型：單項(xiàng)選擇題
以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
8086CPU內(nèi)部包括哪些單元？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
DRAM上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全1。（）
題型：判斷題
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
題型：多項(xiàng)選擇題
在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
模擬信號數(shù)字化的過程是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
題型：單項(xiàng)選擇題
對于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題