A.照射區(qū)域附近使用鉛衣,照射區(qū)域外使用蠟塊
B.照射區(qū)域附近使用鉛擋塊,照射區(qū)域外使用鉛衣
C.照射區(qū)域附近使用楔形板,照射區(qū)域外使用鉛衣
D.照射區(qū)域附近使用鉛衣,照射區(qū)域外使用固定面膜
E.照射區(qū)域附近使用真空墊,照射區(qū)域外使用鉛衣
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A.不應(yīng)超過10mSv
B.不應(yīng)超過20mSv
C.不應(yīng)超過50mSv
D.不應(yīng)超過70mSv
E.不應(yīng)超過100mSv
A.大腦50mSv,其他單個(gè)器官或組織150mSv
B.眼晶體150mSv,其他單個(gè)器官或組織500mSv
C.脊髓50mSv,其他單個(gè)器官或組織250mSv
D.性腺50mSv,其他單個(gè)器官或組織250mSv
E.心臟50mSv,其他單個(gè)器官或組織750mSv
A.工作期間服用的治療藥物劑量總和
B.檢查自己身體所拍攝胸片及做CT等所受外照射的劑量當(dāng)量
C.工作期間所受外照射的劑量當(dāng)量
D.攝入放射性核素產(chǎn)生的待積劑量當(dāng)量
E.工作期間所受外照射的劑量當(dāng)量與攝入放射性核素產(chǎn)生的待積劑量當(dāng)量的總和
A.全身<5mSv任何單個(gè)組織或器官<5mSv
B.全身<5mSv任何單個(gè)組織或器官<50mSv
C.全身<1mSv任何單個(gè)組織或器官<20mSv
D.全身<5mSv任何單個(gè)組織或器官<15mSv
E.全身<20mSv任何單個(gè)組織或器官<50mSv
A.時(shí)間、距離和屏蔽
B.放射源、時(shí)間和人員
C.時(shí)間、空間和人員
D.防護(hù)類型、防護(hù)范圍和人員
E.時(shí)間、射線種類和屏蔽方式
最新試題
當(dāng)使用電子線照射需要作內(nèi)遮擋時(shí),為了降低電子束的反向散射,通常在擋鉛與組織之間()
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動(dòng)態(tài)楔形板()
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對(duì)60鈷的γ射線和加速器的6MV的X射線所使用的低熔點(diǎn)鉛厚度一般是()
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電子線的能量與射程的關(guān)系()