問答題為什么從70年代初就對GaN開展了研究工作但一直進展緩慢？
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晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。
題型：填空題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型：填空題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題
p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題