圖10-21所示電路的電容電壓uC（t）=（12e-2t+6e-3t）V，則電感電壓uL（t）等于（）V。
A.32e-2t+21e-3t）
B.8e-2t+9e-3t）
C.-32e-2t-21e-3t）
D.-8e-2t-9e-3t）
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圖10-20所示電容元件的u（0）=0，i（t）=6A，則u（t）等于（）V。
A.1-）
B.4（1-）
C.9（1-）
D.36（1-）
圖10-19所示電路中，7V電壓源吸收功率為（）W。
A.14
B.-7
C.-14
D.7
圖10-18所示電路的等效電阻Rab應(yīng)為下列選項(xiàng)中的（）Ω。
A.5
B.5.33
C.5.87
D.3.2
如圖10-16所示，L1=L2=10H，C=1000μF，M從0變至6H時(shí)，諧振角頻率的變化范圍應(yīng)為（）rad／S。
A.10～10／
B.0～∞
C.10～12.5
D.不能確定
圖10-15所示電路的戴維寧等效電路參數(shù)U和R應(yīng)為下列各組數(shù)值中的（）。
A.3V，1.2Ω
B.3V，1Ω
C.4V，14Ω
D.36V，1.2Ω
最新試題
真空中有一載流I=500A的無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線（圖10-84），距該導(dǎo)線1m的A點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為（）T。
如圖10-75所不，兩無(wú)限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場(chǎng)強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì)，它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ，μ2=3μ0，在外部作用下交界面上A點(diǎn)下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j，則A點(diǎn)上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為（）。
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。
如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球外的電場(chǎng)為（）。
如圖10-74所示，真空中有一無(wú)限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場(chǎng)強(qiáng)度為（）。
真空中有一個(gè)半徑為a的均勻帶電球，其電荷體密度為ρ，帶電球內(nèi)的電場(chǎng)為（）。
判斷如下幾種說(shuō)法，錯(cuò)誤的有（）。
如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對(duì)應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。