單項(xiàng)選擇題在異步二進(jìn)制計(jì)數(shù)器中，從0開(kāi)始計(jì)數(shù)，當(dāng)十進(jìn)制數(shù)為60時(shí)，需要觸發(fā)器的個(gè)數(shù)為（）個(gè)。

A.4
B.5
C.6
D.8


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3.單項(xiàng)選擇題增加單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的定時(shí)電阻R的值可以使輸出脈沖的（）。

A.寬度增加
B.幅度減小
C.幅度增加
D.寬度減小

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于可編程邏輯陣列PLA，下列說(shuō)法正確的是（）。

A.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列固定連接，而或門陣列可編程
B.PLA結(jié)構(gòu)是或門陣列固定連接，而與門陣列可編程
C.PLA結(jié)構(gòu)是與門陣列和或門陣列都可以編程
D.PLA中，一個(gè)地址碼對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元是唯一的

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將一個(gè)最大幅值為5V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要使模擬信號(hào)每變化10mV，數(shù)字信號(hào)的最低位發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位的A／D轉(zhuǎn)換器。

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已知TTL門的UH=3．6V，UL=0．3V，UOFF=0．8V，UON=1．8V，則該門輸入高電平的噪聲容限為（）V。

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一個(gè)振蕩器電路中晶振元件的標(biāo)稱頻率是6MHz，電容為30pF，則該電路輸出信號(hào)的頻率是（）MHz。

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從信息的存儲(chǔ)情況分類，存儲(chǔ)器可以分為（）兩大類。

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函數(shù)Y=ABC+A+ADE（F+G）的最簡(jiǎn)式為（）。

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RAM的基本結(jié)構(gòu)包含地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣和讀寫電路三大部分。一個(gè)RAM芯片有11個(gè)地址輸入端，8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，則該RAM芯片的容量是（）位。

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R-S觸發(fā)器的基本性質(zhì)是（）。

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