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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。
答案：首先NPN具有較薄的基區(qū)，提高了其性能：N阱使得NPN管C極與襯底斷開(kāi)，可根據(jù)電路需要接任意電位。缺點(diǎn)：集電極串聯(lián)電阻還...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】以p阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS的有哪些不足？
答案：NPN晶體管電流增益小，集電極串聯(lián)電阻大，NPN管的C極只能接固定電位
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？
答案：P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)單敘述一下pn結(jié)隔離的NPN晶體管的光刻步驟？
答案：第一次光刻：N+隱埋層擴(kuò)散孔光刻
第二次光刻：P隔離擴(kuò)散孔光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】在制作晶體管的時(shí)候，襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響？
答案：電阻率過(guò)大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴(kuò)大飽和壓降，若過(guò)小耐壓低，結(jié)電容增大，且外延時(shí)下推大
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用？
答案：減小集電極串聯(lián)電阻，減小寄生PNP管的影響
名詞解釋
摩爾定律
答案：集成電路的芯片的集成度三年每三年提四倍而加工尺寸縮小√2倍。
名詞解釋
die size
答案：指沒(méi)有封裝的單個(gè)集成電路
名詞解釋
wafer size
答案：指包含成千上百個(gè)芯片的大圓硅片的直徑
名詞解釋
集成度
答案：一個(gè)芯片上容納的晶體管的數(shù)目

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【簡(jiǎn)答題】請(qǐng)畫(huà)出NPN晶體管的版圖，并且標(biāo)注各層摻雜區(qū)域類型。

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【簡(jiǎn)答題】四層三結(jié)的結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管中隱埋層的作用？

摩爾定律

die size

wafer size

集成度

【簡(jiǎn)答題】請(qǐng)畫(huà)出NPN晶體管的版圖，并且標(biāo)注各層摻雜區(qū)域類型。

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【簡(jiǎn)答題】簡(jiǎn)述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？

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