問(wèn)答題什么是干法刻蝕?什么是濕法刻蝕?比較二者的優(yōu)缺點(diǎn)。
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1.問(wèn)答題光刻的本質(zhì)是什么?
2.問(wèn)答題最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是哪種膠?
3.問(wèn)答題什么是負(fù)性光刻?正性光刻?
最新試題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管,柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型:判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型:判斷題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型:判斷題
MOS管可以分為4類型,其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型:判斷題
半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是()年。
題型:填空題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
理想的MOS管,柵極加上偏壓之后,溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題