單項(xiàng)選擇題鋁酸三鈣(C3A)屬()晶系。
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
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1.單項(xiàng)選擇題水泥熟料燒成后進(jìn)行()對改善熟料質(zhì)量有很大好處。
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
2.單項(xiàng)選擇題對壓制坯料的質(zhì)量要求有三個(gè),()除外
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動(dòng)性好
3.單項(xiàng)選擇題陶瓷坯料組成的表示方法不包括:()
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
4.單項(xiàng)選擇題從結(jié)構(gòu)上看,陶瓷組成相中不包含:()
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
5.單項(xiàng)選擇題普通玻璃中,煤粉的含率在生產(chǎn)上一般控制在:()
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題