單項(xiàng)選擇題薄膜光伏電池制備工藝中,等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀法的英文縮寫是()
A.PVD
B.LPVCD
C.PEVCD
D.LVCD
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來減少反射。
A.相長干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射
2.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。
A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形
3.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。
A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻
4.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。
A.4HF+Si=SiF4+2H2↑
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2↑
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2↑
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O
5.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。
A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2
最新試題
全加器的輸入信號(hào)是()
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()
題型:單項(xiàng)選擇題
使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。
題型:判斷題
3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()
題型:單項(xiàng)選擇題
電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。
題型:多項(xiàng)選擇題
平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端,靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。
題型:判斷題
集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面
題型:多項(xiàng)選擇題
下列受時(shí)鐘控制的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
題型:多項(xiàng)選擇題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型:判斷題