單項(xiàng)選擇題目前大都數(shù)單晶和多晶太陽能電池設(shè)計(jì)使用的年限是（）年。
A.10
B.20
C.25
D.30
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1.單項(xiàng)選擇題用于太陽能電池半導(dǎo)體的材料三種形式中晶粒之間存在邊界的是（）。
A.多晶體
B.單晶體
C.非晶體
D.以上都是
2.單項(xiàng)選擇題在硅片的拋光過程中，下列因素中不是影響粗拋的主要因素是（）。
A.粗拋液的濃度
B.粗拋時(shí)間
C.溶液的密度
D.溶液的溫度
3.單項(xiàng)選擇題常溫下本征半導(dǎo)體硅的禁帶寬度為（）eV。
A.1.12
B.2.14
C.1.42
D.0.92
4.單項(xiàng)選擇題按照能帶結(jié)構(gòu)理論，本征半導(dǎo)體的能帶可以分為（）個(gè)。
A.1
B.2
C.3
D.4
5.單項(xiàng)選擇題一般情況下，P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)（）N型半導(dǎo)體的能級(jí)。
A.高于
B.小于
C.等于
D.無法確定
最新試題
集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。
題型：判斷題
反相比例運(yùn)算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí)，74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載（）
題型：單項(xiàng)選擇題
由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
題型：單項(xiàng)選擇題
4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的，計(jì)數(shù)長度為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
6進(jìn)制異步清零，最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼，需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。
題型：判斷題