單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）

A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法


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1.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

2.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

3.單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾

4.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

5.多項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)