單項(xiàng)選擇題通過I2C、SPI、UART、USB等可以實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)間或嵌入式系統(tǒng)與外圍器件等的連接，下面相關(guān)敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.I2C總線只有兩條信號(hào)線，一條是數(shù)據(jù)線SDA另一條是時(shí)鐘線SCL所有操作都通過這兩條信號(hào)線完成
B.SPI通信時(shí)，首先要使SPI從設(shè)備的SSEL處于被選中狀態(tài)，表示將要對(duì)該從設(shè)備進(jìn)行操作，然后才能按照SPI時(shí)序要求進(jìn)行數(shù)據(jù)操作
C.UART即通用異步收發(fā)器，可用于全雙工串行異步通信
D.USB 1.1和USB 2.0采用全雙工差分方式進(jìn)行通信


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1.單項(xiàng)選擇題某型NAND Flash芯片的地址線和數(shù)據(jù)線是復(fù)用的，它具有的部分引腳為ALE、CE、RE、R/B，如果下面每一個(gè)選項(xiàng)是用于簡(jiǎn)述這些引腳的功能的，其中完全正確的是（）

A.低電平有效的芯片使能、命令鎖存允許、準(zhǔn)備就緒/忙輸出、讀使能/寫使能
B.命令鎖存允許、低電平有效的寫保護(hù)、低電平有效的芯片使能、地址鎖存允許
C.地址鎖存允許、低電平有效的芯片使能、低電平有效的讀使能、準(zhǔn)備就緒/忙輸出
D.準(zhǔn)備就緒/忙輸出、低電平有效的讀使能、低電平有效的寫使能、命令鎖存允許

2.單項(xiàng)選擇題下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的存儲(chǔ)器及高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）

A.ARM芯片片內(nèi)配有的Flash存儲(chǔ)器，通常用作系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)器
B.ARM芯片內(nèi)的Cache采用SRAM
C.高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口只能用于擴(kuò)展系統(tǒng)的程序存儲(chǔ)器
D.高帶寬外部存儲(chǔ)器控制接口與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連

3.單項(xiàng)選擇題微硬盤是一種由超小型筆記本和數(shù)碼相機(jī)領(lǐng)域發(fā)展而來(lái)的外部存儲(chǔ)設(shè)備，下面關(guān)于微硬盤的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.目前1.8英寸的微硬盤容量已達(dá)幾百GB
B.帶有數(shù)據(jù)緩存，有利于提高數(shù)據(jù)傳輸率
C.采用USB接口時(shí)，一般須另加外部電源
D.為使微硬盤適用于多種手持裝置，其接口可采用多種標(biāo)準(zhǔn)，如CF卡、PCMCIA、USB 2.0、ATA等

4.單項(xiàng)選擇題下面是關(guān)于基于ARM內(nèi)核的嵌入式芯片中的DMA控制器的敘述，其中錯(cuò)誤的是（）

A.DMA是指直接存儲(chǔ)器訪問
B.嵌入式系統(tǒng)通過使用DMA控制器可降低處理器內(nèi)核在數(shù)據(jù)傳輸操作中的負(fù)擔(dān)
C.ARM處理器中的DMA控制器與AMBA的系統(tǒng)總線部分相連
D.ARM處理芯片中的串行通信接口、USB接口等，只能通過DMA控制器控制其數(shù)據(jù)傳輸而不能由ARM內(nèi)核控制

5.單項(xiàng)選擇題下面關(guān)于ARM公司定義的AMBA的敘述中，錯(cuò)誤的是（）

A.AMBA由系統(tǒng)總線和外圍總線組成，二者之間通過橋接器交換信息
B.ARM芯片中的ARM內(nèi)核與AMBA的系統(tǒng)總線相連
C.ARM芯片中的測(cè)試接口（如JTAG）與AMBA的外圍總線相連
D.ARM7和ARM11采用的AMBA的版本不同