單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（），在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（）。

A．空穴／自由電子
B．自由電子／空穴
C．空穴／共價鍵電子
D．負(fù)離子／正離子


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1.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A．自由電子
B．空穴
C．束縛電子
D．晶格上的離子

2.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì)，下列說法最為合適的是（）。

A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)

4.單項(xiàng)選擇題對于半導(dǎo)體材料，若（），導(dǎo)電能力減弱。

A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素

5.單項(xiàng)選擇題金屬導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而（）；半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度升高而（）。

A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高