單項(xiàng)選擇題若在本征半導(dǎo)體中摻入某些適當(dāng)微量元素后，若以空穴導(dǎo)電為主的稱（），若以自由電子導(dǎo)電為主的稱（）。

A．PNP型半導(dǎo)體／NPN型半導(dǎo)體
B．N型半導(dǎo)體／P型半導(dǎo)體
C．PN結(jié)／PN結(jié)
D．P型半導(dǎo)體／N型半導(dǎo)體


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1.單項(xiàng)選擇題一般來(lái)說(shuō)，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力（），當(dāng)摻入某些適當(dāng)微量元素后其導(dǎo)電能力（）。

A．很強(qiáng)／更強(qiáng)
B．很強(qiáng)／降低
C．很弱／提高
D．很弱／更弱

2.單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（），在N型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（）。

A．空穴／自由電子
B．自由電子／空穴
C．空穴／共價(jià)鍵電子
D．負(fù)離子／正離子

3.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A．自由電子
B．空穴
C．束縛電子
D．晶格上的離子

4.單項(xiàng)選擇題P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是（）。

A.自由電子
B.空穴
C.束縛電子
D.晶格上的離子

5.單項(xiàng)選擇題關(guān)于P、N型半導(dǎo)體內(nèi)參與導(dǎo)電的介質(zhì)，下列說(shuō)法最為合適的是（）。

A．自由電子、空穴、位于晶格上的離子
B．無(wú)論P(yáng)型還是N型半導(dǎo)體，自由電子、空穴都是導(dǎo)電介質(zhì)
C．對(duì)于P型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)
D．對(duì)于N型半導(dǎo)體，空穴是唯一的導(dǎo)電介質(zhì)

最新試題

關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二極管、三極管、晶閘管分別有（）個(gè)PN結(jié)，分別有（）個(gè)極。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可控硅關(guān)斷的條件是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

晶閘管關(guān)斷條件是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在三極管基本放大電路中，測(cè)試發(fā)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)已經(jīng)設(shè)置在放大區(qū)中央部分，但同時(shí)出現(xiàn)截止和飽和失真。這說(shuō)明（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

關(guān)于集成運(yùn)放的下列說(shuō)法，正確的是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于單管共射極基本放大電路，若靜態(tài)工作點(diǎn)不合適，比較方便的做法是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

設(shè)v+、v－分別是理想運(yùn)放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運(yùn)放工作于線性區(qū)，則（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

未引入負(fù)反饋的開(kāi)環(huán)工作的運(yùn)放一般工作于（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

晶閘管導(dǎo)通后控制極電源線脫落，將產(chǎn)生的現(xiàn)象是（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題