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問答題由外延生長的Grove模型得到外延生長速率與反應(yīng)物濃度成正比，對(duì)于以SiCl₄為原料的硅外延為什么隨SiCl₄濃度的增加會(huì)出現(xiàn)負(fù)的生長速率？

1.問答題用Grove模型解釋分別在高溫區(qū)、低溫區(qū)外延生長時(shí)溫度與生長速度的關(guān)系。

2.問答題詳述影響硅外延生長速率的因素。

3.問答題 要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge單晶，所用的雜質(zhì)為Ga-Ge合金，合金中P型Ge濃度為C_m=1017cm^-3，原料為純Ge，問需要多少克Ga-Ge合金？

4.問答題 每拉出g=1/2處，ρ=1Ω·cm的硅單晶錠100g，所用的硅是區(qū)熔硅（即純硅），問要摻雜質(zhì)硼多少克？

5.問答題簡述位錯(cuò)對(duì)材料性能的影響及無位錯(cuò)單晶工藝的要點(diǎn)。