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問(wèn)答題用Grove模型解釋分別在高溫區(qū)、低溫區(qū)外延生長(zhǎng)時(shí)溫度與生長(zhǎng)速度的關(guān)系。

1.問(wèn)答題詳述影響硅外延生長(zhǎng)速率的因素。

2.問(wèn)答題 要拉制30g，ρ=1~3Ω·cm的P型Ge單晶，所用的雜質(zhì)為Ga-Ge合金，合金中P型Ge濃度為C_m=1017cm^-3，原料為純Ge，問(wèn)需要多少克Ga-Ge合金？

3.問(wèn)答題 每拉出g=1/2處，ρ=1Ω·cm的硅單晶錠100g，所用的硅是區(qū)熔硅（即純硅），問(wèn)要摻雜質(zhì)硼多少克？

4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述位錯(cuò)對(duì)材料性能的影響及無(wú)位錯(cuò)單晶工藝的要點(diǎn)。

5.問(wèn)答題解釋組分過(guò)冷并推導(dǎo)組分過(guò)冷產(chǎn)生的條件，討論出現(xiàn)組分過(guò)冷時(shí)平坦界面上的干擾如何發(fā)展成胞狀界面及枝蔓生長(zhǎng)。