名詞解釋N型半導體
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4.單項選擇題對稱三相交流電路無功功率的表達式sin3UIQ中的電壓和電流是（）。
A、線電壓和線電流
B、線電壓和相電流
C、相電壓和線電流
D、相電壓和相電流
5.單項選擇題一般情況下，電力系統(tǒng)的自然功率因數(shù)（）。
A、滯后且小于1
B、超前且小于1
C、等于1
D、等于零
最新試題
半導體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型：判斷題
P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。
題型：判斷題
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。
題型：填空題