最新試題
()是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。
題型:填空題
半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
雙極型晶體管使用中,電流最大的極是(),電流最小的極是()。
題型:填空題
柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。
題型:判斷題
MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。
題型:判斷題
絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS的輸出特性曲線中,給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型:判斷題