名詞解釋亞閾值導電
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雙極型晶體管內部有()個極,()個區(qū),()個PN結。
題型:填空題
1947年,()等人制造了第一個晶體管。
題型:填空題
N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。
題型:判斷題
當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時,漏極將失去對漏源電流的控制能力。
題型:判斷題
處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管,漏極將失去對溝道電流的控制能力。
題型:判斷題
半導體的主要特征有()()()和()。
題型:填空題
MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
題型:判斷題
“合金型晶體管”,“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中,目前生產(chǎn)最主要的一種是()。
題型:填空題
n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。
題型:判斷題
實際的MOS管,絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體,其中沒有任何雜質和缺陷。
題型:判斷題