完全純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。
電導(dǎo)率介于金屬和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。
是電導(dǎo)率隨著光量力的變化而變化的電子元件,當(dāng)某種物質(zhì)受到光照時(shí),載流子的濃度增加從而增加了電導(dǎo)率,這就是光電導(dǎo)效應(yīng)。
將結(jié)晶碳沉積在陶瓷棒骨架上制成。碳膜電阻器成本低、性能穩(wěn)定、阻值范圍寬、溫度系數(shù)和電壓系數(shù)低,是目前應(yīng)用最廣泛的電阻器。
是一種機(jī)電元件,他靠電刷在電阻體上的滑動(dòng),取得與電刷位移成一定關(guān)系的輸出電壓。
最新試題
磁滯回線
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
陰極射線致發(fā)光
提高光刻最小線寬可以通過提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
MBE只能用于III-V族化合物的生長。
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
光生伏特效應(yīng)
GaAs晶體是()結(jié)構(gòu)
猝滅劑
敏化劑