判斷題硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。
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5.單項(xiàng)選擇題MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
最新試題
平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。
題型：判斷題
光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
本征吸收
題型：名詞解釋
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
題型：判斷題
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
題型：判斷題
內(nèi)光電效應(yīng)
題型：名詞解釋
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
題型：判斷題
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題