單項(xiàng)選擇題

如圖所示，實(shí)驗(yàn)電路伏特計(jì)所測(cè)量電壓為3V，則R值應(yīng)接近多少？（）（注：伏特計(jì)內(nèi)阻為20kΩ；D為硅二極管）

A.1Ω
B.2Ω
C.8Ω
D.4Ω
E.6Ω


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1.單項(xiàng)選擇題下列何種二極管的空乏區(qū)最窄？（）

A.發(fā)光二極管
B.透納二極管
C.變?nèi)荻O管
D.稽納二極管

2.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）

A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非

3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）

A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)