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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。
題型:問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā),版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項選擇題
版圖設(shè)計的基本前提是什么?
題型:問答題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
題型:多項選擇題
什么是電阻率?它的單位是什么(國際標(biāo)準(zhǔn)單位制)?
題型:問答題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:問答題