問答題比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
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什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:問答題
MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響?
題型:問答題
20世紀上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
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把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
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試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項選擇題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題