名詞解釋自摻雜效應(yīng)
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什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
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試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
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說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
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半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
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MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
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