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問答題 電路如圖所示，已知FET的U_th=3V、K_n=0.1mA/V²?，F(xiàn)要求該電路中FET的I_DQ=1.6mA，試求R_d的值應(yīng)為多大？

1.問答題 電路如圖所示，已知VT在U_GS=5V時的I_D=2.25mA，在U_GS=3V時的I_D=0.25mA。現(xiàn)要求該電路中FET的V_DQ=2.4V、I_DQ=0.64mA，試求：
（1）管子的K_n和U_th的值；
（2）R_d和R_S的值應(yīng)各取多大？

2.問答題 試求圖所示每個電路的U_DS，已知|I_DSS|=8mA。

3.問答題 電路如圖所示，MOSFET的U_th=2V，K_n=50mA/V²，確定電路Q點的I_DQ和U_DSQ值。

4.問答題 判斷圖所示各電路是否有可能正常放大正弦信號。

5.問答題試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出各種類型場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性示意圖，并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓。