A.鍺二極管的門檻電壓，相對硅而言比較小
B.鍺二極管的反向飽和電流，相對硅而言更大一點
C.二極管兩端所加的正向電壓大于門檻電壓時，電流呈現(xiàn)指數(shù)增加
D.二極管兩端施加反向電壓時，會形成反向飽和電流，相當(dāng)于二極管導(dǎo)通
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A.大的正向擴散電流
B.PN結(jié)導(dǎo)通
C.低電阻
D.高電阻
A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
B.PN結(jié)的內(nèi)電場是從P區(qū)指向N區(qū)的
C.由載流子濃度差引起的載流子運動，稱為擴散運動
D.漂移運動指的是電場作用所引起的載流子的運動
A.N型半導(dǎo)體，自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中，自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中，空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成
A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力是隨著溫度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一個帶正電的粒子，電量與電子相等
C.可以用空穴移動產(chǎn)生的電流來代替受束縛的電子移動產(chǎn)生的電流
D.硅的價電子比鍺的價電子越容易擺脫束縛（相同情況）
電路如圖所示。求
（）。
A.R1/R2
B.R2/R1
C.-R1/R2
D.-R2/R1
最新試題
電路如圖所示，其中哪兩個器件構(gòu)成了鏡像電流源？（）
關(guān)于空間電荷，下列哪一項不正確？（）
電路如圖所示，從同相端看進(jìn)去的等效輸入電阻是多少？（）
關(guān)于二極管的小信號模型，下列哪一個說法不正確？（）
關(guān)于N型半導(dǎo)體，下列哪項不正確？（）
下面哪個不是放大器所需要討論的內(nèi)容？（）
放大電路的輸出電阻與信號源內(nèi)阻無關(guān)。
放大電路中負(fù)載電阻所獲得的能量取自于有源元件。
電路如圖所示，其等效輸出電阻為（）。
電路如圖所示。求（）。