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問(wèn)答題一個(gè)MOS管的正常導(dǎo)電特性可分為幾個(gè)區(qū)域？

夾斷、線性、飽和

1.問(wèn)答題MOS管的IDS大小除與源漏電壓和柵極電壓有關(guān)外，還與哪些因素有關(guān)？

源漏之間的距離、溝道寬度、開啟電壓、柵絕緣氧化層的厚度、柵絕緣層的介電常數(shù)、載流子的遷移率

2.問(wèn)答題為什么說(shuō)MOS晶體管是一種電壓控制器件？

3.問(wèn)答題在CMOS電路里，MOS管一般采用何種類型？

增強(qiáng)型

4.問(wèn)答題根據(jù)閾值電壓不同，常把MOS器件分為幾種？

增強(qiáng)型和耗盡型

5.問(wèn)答題對(duì)NMOS晶體管，注入何種雜質(zhì)使閾值電壓增加或降低？

P型雜質(zhì)增加、N型雜質(zhì)降低。