A.主板
B.DOS系統(tǒng)
C.控制器
D.顯示器
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A.任意點(diǎn)
B.低點(diǎn)
C.高點(diǎn)
D.中間
A.三極管
B.NPN硅材料
C.高頻小功率管
D.序號(hào)
A.三極管
B.NPN硅材料
C.序號(hào)
D.規(guī)格號(hào)
A.很小
B.很大
C.不變
D.不大不小
A.100
B.97.6
C.99.87
D.121.9
最新試題
儀器時(shí)基線調(diào)節(jié)比例時(shí),若回波前沿沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)垂直刻度或讀數(shù)不準(zhǔn),會(huì)使缺陷定位誤差增加。
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。
缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
無(wú)論聲波相對(duì)于缺陷是垂直入射還是斜入射,缺陷大小不同其反射波的指向性有相當(dāng)大的差異。
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流,在外加磁場(chǎng)的作用下,在工件中形成超聲波波源。