判斷題設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）
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最新試題
低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）
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晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。（）
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絲網(wǎng)印刷膜的厚度不隨著刮板移動(dòng)速度的增加而減小。（）
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遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）
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光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）
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液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過(guò)飽和結(jié)晶。（）
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金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí)，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）
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厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）
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