最新試題
值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個(gè)重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過(guò)硼、砷摻雜后的兩個(gè)pn結(jié)質(zhì)量?jī)?yōu)劣的重要標(biāo)志。（）
題型：判斷題
設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴(yán)格清潔處理，可直接進(jìn)入凈化區(qū)。（）
題型：判斷題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來(lái)越普遍。（）
題型：判斷題
在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們?cè)陔娦阅苌舷嗷ソ^緣。（）
題型：判斷題
拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）
題型：判斷題
雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）
題型：判斷題
設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）
題型：判斷題
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。（）
題型：判斷題
厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）
題型：判斷題
敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。
題型：?jiǎn)柎痤}