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判斷題AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

1.單項(xiàng)選擇題MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是

2.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是

3.單項(xiàng)選擇題一般說(shuō)的14nm工藝線(xiàn)指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

A.柵極長(zhǎng)度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是

4.判斷題平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

5.判斷題所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。