單項(xiàng)選擇題MOSFET開(kāi)關(guān)的基本工作原理是通過(guò)（）極電壓來(lái)控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。
A.柵、源、漏
B.漏、源、柵
C.源、漏、柵
D.以上都不是
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
A.集電極到發(fā)射極
B.集電極到基極
C.基極到發(fā)射極
D.以上都不是
2.單項(xiàng)選擇題一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)
A.柵極長(zhǎng)度
B.漏極寬度
C.柵極寬度
D.以上都不是
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光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
題型：判斷題
AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。
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GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
本征吸收
題型：名詞解釋
異質(zhì)結(jié)是由至少兩種不同禁帶寬度的半導(dǎo)體相互接觸而形成的。
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題型：判斷題
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般說(shuō)的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題